產(chǎn)品名稱(chēng)：熱釋光讀數器+加熱退火爐
產(chǎn)品型號：
更新時(shí)間：2024-05-23
產(chǎn)品報價(jià)：
產(chǎn)品特點(diǎn)：熱釋光讀數器+加熱退火爐手動(dòng)操作，可以單片讀取如圓片、方片、玻璃管、粉末等各種形狀的熱釋光元件。IDMS 軟件集成結果數據庫，操作人員可以輕松管理各種格式的測量數據和生成特定格式的測量報告。
熱釋光讀數器+加熱退火爐
設備物理參數 尺寸、重量 外殼材質(zhì) 345*240*270mm；單機重量約 25 公斤 鈑金外殼，噴塑或者陽(yáng)極氧化 儲運環(huán)境 環(huán)境：-20℃--60℃，≤95%濕度 電源：220VAC/50Hz 市電供應 設備運行參數 運行方式 單次單樣品測量 探測方式 交互方式 光電倍增管探測，模擬信號放大處理 帶有觸摸屏人機界面和應用軟件同步雙工作業(yè) 維護模式 帶有自診斷功能；模塊化設計便于現場(chǎng)快速更換 適配劑量片 國內通用的片狀、粉末狀、棒狀、薄膜β劑量元件、 特定中子劑量片及其它特殊樣品等 測量射線(xiàn) γ，β，X，中子射線(xiàn) 加熱單元參數 加熱方法 電極加熱、線(xiàn)性升溫，最高溫 500℃ 獲取溫度 室溫～500℃可任意設置 預熱溫度 室溫～500℃可任意設置 升溫速率 0℃/s～50℃/s 可任意設置 控溫精度 設置溫度的±1% 測量單元參數 測量方式 光電倍增管（PMT），模擬信號放大 10 9量級 高壓供應 高壓 0～1200V 可調節，高壓穩定性：±0.005% 探測單元制冷 半導體加控制制冷，制冷溫度可設置 測量量程 0.1μSv～12Sv；最高至 300Sv（敏化鎂鈦片） 測量分辨率 實(shí)驗室條件下充分預熱后可到 0.1μSv 測量穩定性 充分預熱后連續 10 次測量，RSD≤1% 暗電流 預熱后連續多次測讀 RSD≤1% 參考光 預熱后連續多次測讀 RSD≤1%
熱釋光讀數器+加熱退火爐
設備物理參數 尺寸、重量 外殼材質(zhì) 345*223*210mm；單機重量約 3 公斤； 鈑金外殼，噴塑或者陽(yáng)極氧化 儲運環(huán)境 環(huán)境：-20℃--50℃，10%-60%濕度 電源：220VAC/50Hz 市電供應 設備運行參數 溫度過(guò)沖值 預設值±2℃ 溫度穩定性 達到預設溫度后波動(dòng)范圍±1℃ 控制模式 微電腦程序控制、觸摸屏顯示 提示方式 語(yǔ)音提示測量進(jìn)程或者設備狀態(tài) 冷卻方式 風(fēng)冷、大面積金屬板冷卻 測溫方式 熱電偶接觸測溫 系統保護 自帶過(guò)溫保護開(kāi)關(guān) 退火溫度 室溫~400℃內手動(dòng)設置 退火時(shí)間 100 分鐘內自由設置，達到設計溫度后自動(dòng)倒計時(shí)
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